Ngày 20/6/2006, các nhà nghiên cứu của IBM cho biết họ đã đẩy tốc độ của một bộ xử lí (BXL) làm bằng silic (Si) và germani (Ge) lên 500GHz – nhanh gấp 250 lần tốc độ của chip thương mại điển hình trong một điện thoại di động (ĐTDĐ) (các chip lõi kép thương mại cho máy chủ mới nhất của Intel và AMD chạy ở tốc độ trong khoảng 2,5 đến 3,5GHz).Theo giáo sư John D. Cressler, trường Kĩ Nghệ Điện và Máy Tính thuộc Viện Công Nghệ Georgia (Georgia Tech), cuộc nghiên cứu cho thấy, các nhà sản xuất chip có thể đạt được tốc độ cao với những kĩ thuật sản xuất giá thành thấp và công nghệ chip thương mại dựa trên Si.
Theo IBM, kết quả của cuộc nghiên cứu này cũng sẽ giúp tạo ra những chip có hiệu suất cao hơn, mở ra những thị trường mới. Do chạy ở tốc độ cực kì cao, những chip này có thể tìm thấy nhiều ứng dụng mới trong các hệ thống phương tiện liên lạc thương mại, các thiết bị điện tử phòng thủ, thám hiểm không gian...
Các nhà khoa học của IBM và Georgia Tech sử dụng kĩ thuật theo 2 bước để tránh cho chip khỏi bị nóng chảy khi chạy ở tốc độ cao như vậy.
Đầu tiên, các nhà nghiên cứu sử dụng hỗn hợp Si-Ge để chế tạo một nguyên mẫu (prototype) chip chạy ở tốc độ 350GHz ở nhiệt độ trong phòng (từ năm 1998, IBM đã trộn Si với Ge để chế tạo chip cho ĐTDĐ và những thiết bị di động khác đòi hỏi giảm điện năng tiêu thụ).
Tiếp theo, các nhà nghiên cứu sử dụng heli (He) lỏng để làm lạnh BXL của mình xuống đến nhiệt độ -451 độ F (trong tự nhiên, nhiệt độ lạnh nhất hay độ 0 tuyệt đối là -459,67 độ F). Không còn lo chip bị nóng chảy nữa, các nhà nghiên cứu đẩy tốc độ lên 500GHz.
Các nhà nghiên cứu dự định sẽ quay lại phòng thí nghiệm để tìm ra cách đẩy tốc độ chip lên cao hơn. Những mô phỏng máy tính của IBM cho thấy, chip của họ có thể đạt tới tốc độ 1THz.
Những mô phỏng máy tính của IBM cho thấy chip có thể đạt tới tốc độ 1THz (1THz = 1.000GHz).
Việt Nam sắp có dịch vụ “Windows trả trước”
(31-05-2006)
